IPD90N06S3-06 datasheet
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>> IPD90N06S3-06 MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 90A 6mOhms datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
IPD90N06S3-06
库存数量:
可订货
制造商:
Infineon Technologies
描述:
MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 90A 6mOhms
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述
MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 90A 6mOhms
IPD90N06S3-06 PDF下载
制造商
Infineon Technologies
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
55 V
闸/源击穿电压
+/- 20 V
漏极连续电流
90 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)
6 mOhms
配置
Single
最大工作温度
+ 175 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252
封装
Reel
相关资料
属性
链接
代理商
IPD90N06S3-06
IPD90N06S3L-05
IPD90N06S3L-07
IPD90N06S4-04
IPD90N06S4-05
IPD90N06S4-07
供应商
公司名
电话
深圳市华芯源电子有限公司
15019275130
张小姐
深圳市科翼源电子有限公司
13510998172
朱小姐
无锡固电半导体股份有限公司
15961889159
张小姐
深圳市华芯盛世科技有限公司
0755-23941632
朱先生/李小姐
北京首天伟业科技有限公司
010-62565447
刘先生
深圳市悦兴晨电子科技有限公司
0755-8281200482811605
朱先生
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0755-83089975
李先生
深圳市崧晔达科技有限公司
13926591096
苑小姐
东莞鼎岑科技有限公司
18925581989
莫
IPD90N06S3-06 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
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